[发明专利]一种多晶硅太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201911099038.8 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110993746A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陆俊宇;孟思霖;邱凯坤;蓝家平 | 申请（专利权）人： | 江苏科来材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/22 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 何蔚 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常熟市联丰路5*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅太阳能电池的制备方法，包括：低热辅助光衰衰减的多晶硅太阳能电池的制备方法，所述低热辅助光衰衰减的多晶硅太阳能电池的制备方法包括以下步骤：1)酸或碱腐蚀，去除减伤层；2)磷扩散，重掺吸杂；3)腐蚀去除磷硅玻璃及表面pn结；这样增加预吸杂工艺，利用磷的重掺杂对金属杂质进行吸杂，可以有效减小多晶PERC电池LeTID的衰减，该方法适合批量生产，制备方法简单易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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