[发明专利]反极性垂直发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201911099376.1 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110808319B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郭亚楠;闫建昌;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/20;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种反极性垂直发光二极管及其制备方法，该反极性垂直发光二极管包括：基板；n型电极，位于所述基板之上；n型GaN基半导体层，位于所述n型电极之上；发光层，位于所述n型GaN基半导体层之上；p型GaN基半导体层，位于所述发光层之上；p型电极，位于所述p型GaN基半导体层之上；其中，所述n型GaN基半导体层、发光层和p型GaN基半导体层在自下而上的方向上均表现为氮极性，在自上而下的方向上均表现为金属极性。本发明综合反极性和垂直结构的优势，可有效提高p型GaN基半导体层的空穴浓度，抑制量子阱有源区的量子限制斯塔克效应，从而提高LED的辐射复合效率和内量子效率，改善LED的发光性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 垂直 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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