[发明专利]通过循环沉积工艺在衬底上沉积过渡金属硫族化物膜的方法

摘要

公开了通过循环沉积工艺在衬底上沉积过渡金属硫族化物膜的方法。所述方法可以包括使所述衬底与含有至少一种过渡金属的气相反应物接触，所述含有至少一种过渡金属的气相反应物包含铪前体或锆前体中的至少一种；以及使所述衬底与含有至少一种硫族化物的气相反应物接触，其中所述衬底在接触步骤期间的温度低于约450℃。还提供了包括通过本公开的方法沉积的过渡金属硫族化物膜的半导体装置结构。