[发明专利]一种MoS2有效

专利信息
申请号: 201911100768.5 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN110820006B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 冯亮亮;徐瑞;曹丽云;黄剑锋;施潇虎 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/091;C23C26/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 代理人: 张震国
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种MoS2纳米带嵌入的VS2微米花自支撑电极及其制备方法和应用。将偏钒酸钠溶于去离子水中,然后再加入氨水得澄清溶液A;将硫代乙酰胺和四水合钼酸铵加入到澄清溶液A中得溶液B;将溶液B转移到高压反应釜中,并将钼箔竖直置于溶液B中,然后置于反应烘箱中水热反应;待反应结束后,将反应釜在室温下冷却,产物用去离子水和乙醇冲洗干净后真空干燥得到MoS2纳米带嵌入的VS2微米花自支撑电极。本发明以偏钒酸钠为钒源,硫代乙酰胺为硫源,经一步水热法在钼箔上成功原位合成VS2/MoS2/MF。这种独特的异质结构使得VS2/MoS2/MF具有丰富的暴露边缘活性位点,包括层边缘活性位点和硫边缘活性位点,以及VS2与MoS2之间强烈的电子相互作用,极大地提高了HER性能。
搜索关键词: 一种 mos base sub
【主权项】:
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