[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201911101162.3 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112864309B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 张云森;吴关平;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结为磁性肖特基/相干隧道结，结合自旋激化层的设计，使得自旋激化电子通过肖特基隧穿的方式实现逻辑“0”的读取；通过相干隧穿的方式实现逻辑“1”的读取，由于高电阻态和低电阻态的阻值相差特别大，在这种情况下，可以获得非常可观的TMR，非常有利于MRAM电路的读写性能的提升，非常适合作为超小型的MRAM电路的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 及其 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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