[发明专利]放大器芯片封装结构及制作方法在审
| 申请号： | 201911101359.7 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110676224A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 曲韩宾;张晓朋;吴兰;高博;邢浦旭;崔培水;谷江 | 申请（专利权）人： | 河北新华北集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种放大器芯片封装结构及制作方法，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板以及封盖；封装基板设有至少两层介质层，且位于顶层的介质层上设有凹槽，封装基板上设有顶部金属层、中间金属层和底部金属层，封盖设置于封装基板上。本发明提供的放大器芯片封装结构，实现了多层布线，将芯片设置于凹槽内，有效的缩短了芯片与封装基板的顶部金属层之间的连接长度，提高了二者之间的传输能力，降低了射频传输的损耗，带有内腔的封盖使芯片的上方有一层低介电损耗的空气层，避免了传统封装芯片需要直接接触塑封料造成的介电损耗，有效的降低了封装结构造成的毫米波波段的性能损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 封装基板 封装结构 芯片 封盖 顶部金属层 放大器芯片 介质层 芯片封装技术 低介电损耗 底部金属层 毫米波波段 中间金属层 传输能力 多层布线 封装芯片 介电损耗 射频传输 性能损耗 空气层 塑封料 顶层 两层 内腔 制作 | ||
【主权项】：
1.放大器芯片封装结构，其特征在于，包括：/n芯片，上表面外周设有若干个金属压点，其中至少两个所述金属压点为芯片射频端口；/n封装基板，设有自下而上层叠设置的至少两层介质层，且位于顶层的所述介质层上设有开口向上且用于容纳所述芯片的凹槽，所述凹槽的底面上设有导电层，所述介质层的顶面上设有若干个位于所述芯片的外周且分别与若干个所述金属压点一一对应的顶部金属层，相邻两层所述介质层之间设有与所述顶部金属层一一上下对应的中间金属层，位于底层的所述介质层的底面上设有与所述中间金属层一一上下对应以及与所述导电层上下对应的底部金属层；以及/n封盖，设置于所述封装基板上且用于封盖所述封装基板，所述封盖设有开口向下的内腔。/n
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