[发明专利]碳化硅缓冲层电阻率的测试方法在审
| 申请号： | 201911101363.3 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110797256A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;杨龙;吴会旺 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于碳化硅外延生长技术领域，提供了一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，该方法包括：在碳化硅衬底上的预设位置测量碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；在与预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，碳化硅片为在碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；根据碳化硅衬底的厚度、碳化硅片的厚度以及方块电阻，计算获得缓冲层的电阻率，从而可以快速、准确地获得缓冲层的电阻率，本实施例采用的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法具有无损、简单、快速和准确性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 缓冲层 碳化硅片 电阻率 衬底 方块电阻 预设位置 测量 碳化硅外延 测试 生长 电阻 无损 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，包括：/n在碳化硅衬底上的预设位置测量所述碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；/n在与所述预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，所述碳化硅片为在所述碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；/n根据所述碳化硅衬底的厚度、所述碳化硅片的厚度以及所述方块电阻，计算获得所述缓冲层的电阻率。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北普兴电子科技股份有限公司，未经河北普兴电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911101363.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法
- 下一篇：一种图形传递方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
