[发明专利]一种极紫外光掩模的缺陷修复方法在审
申请号: | 201911101721.0 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN110824832A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 杨渝书;伍强;李艳丽 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;H01L21/027 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种极紫外光掩模的缺陷修复方法,包括以下步骤:步骤10:提供一基底,在所述基底上形成图形化的极紫外光刻胶层,其中,图形化的极紫外光刻胶层具有极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷;以及步骤20:对图形化的所述极紫外光刻胶层多次执行极紫外光刻胶修复工艺,所述极紫外光刻胶修复工艺用于修复所述极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷。本发明通过对图形化的所述极紫外光刻胶层多次执行极紫外光刻胶修复工艺,以消除图形化的极紫外光刻胶层中可能出现的极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷,从而提高极紫外光掩模工艺后的产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外光 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911101721.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型板材及其生产工艺
- 下一篇:一种适用于失禁卧床患者用会阴冲洗收集袋
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备