[发明专利]一种光刻处理方法在审
申请号: | 201911102492.4 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN111025862A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 施小赟;杜迅 | 申请(专利权)人: | 常州微泰格电子科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/40 | 分类号: | G03F7/40 |
代理公司: | 常州唯思百得知识产权代理事务所(普通合伙) 32325 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 213000 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明主要用于微机电系统(MEMS)工艺及晶圆级封装(WLCSP)等领域。本发明公开了一种光刻处理方法,包括:均胶、前烘、光刻、显影、坚膜、泛曝光及回流等步骤。与现有技术相比,本发明解决了尺寸较大的晶圆级封装结构在高温回流时不能形成圆润拱形的问题,提晶圆级封装过程中空腔支撑层的宽度和质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 处理 方法 | ||
【主权项】:
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