[发明专利]一种高密度的相变存储器三维集成电路结构的制备方法有效
| 申请号： | 201911102925.6 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111029362B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 童浩;林琪;王伦;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度的相变存储器三维集成电路结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、制备选通管单元；S2、在选通管单元的顶电极上方制备中间电极，且电极方向相交；S3、在中间电极的上方制备n个相变存储单元，其n为整数，n≥2，n个相变存储单元并列排布，各自的底电极均形成于中间电极上方，并与中间电极的电极方向相交，将选通管单元与n个相变存储单元串联起来。本方法在阵列集成过程中可以与存储单元垂直多层堆叠，不需要占用额外的面积，大大增加空间利用面积，从而能够极大地增加存储密度；同时，两端存储器与选通管集成的结构具有三维方向上的堆叠能力，可以进一步提高存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 相变 存储器 三维集成电路 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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