[发明专利]一种高质量有机-无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及应用有效
申请号: | 201911104236.9 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110729403B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 侯文静;韩高义 | 申请(专利权)人: | 山西大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42 |
代理公司: | 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 | 代理人: | 程园园 |
地址: | 030006*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种高质量有机‑无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及应用,所述步骤如下:将二苯基硫卡巴腙作为添加剂溶解在碘化铅前驱体溶液中,经旋涂退火得到碘化铅薄膜;通过旋涂有机胺溶液,反应制得高质量有机‑无机杂化钙钛矿薄膜。基于二苯基硫卡巴腙添加剂制得的钙钛矿薄膜具有均匀致密的形貌,二苯基硫卡巴腙是典型的铅指示剂,其中含有的氮、硫原子可以与碘化铅中的铅发生配位作用,这一作用能有效减缓碘化铅与有机胺反应生成钙钛矿的速率,有利于晶粒长大成均匀致密的钙钛矿薄膜,可增强钙钛矿的结构稳定性,基于此钙钛矿薄膜的器件可以获得较高的器件效率。本发明的钙钛矿薄膜可以直接用于组装钙钛矿太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 质量 有机 无机 杂化钙钛矿 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种高质量有机-无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:/n步骤1,用清洁剂、蒸馏水、无水乙醇依次超声清洗氧化铟锡玻璃,清洗干净后,用紫外臭氧清洗机对氧化铟锡玻璃进行表面处理;/n步骤2,将二氧化锡水溶液原液和蒸馏水混合混匀,将二氧化锡水溶液原液与蒸馏水的混合液旋涂于氧化铟锡玻璃基底上,退火,在氧化铟锡玻璃基底上形成二氧化锡电子传输层;/n步骤3,在手套箱中配制碘化铅溶液,加热搅拌直至完全溶解,并对溶液进行热过滤;/n步骤4,向碘化铅溶液中加入二苯基硫卡巴腙添加剂,将含有二苯基硫卡巴腙的碘化铅溶液旋涂在二氧化锡电子传输层表面,退火在二氧化锡电子传输层表面形成碘化铅薄膜;/n步骤5,配制有机胺溶液,过滤,并将有机胺溶液旋涂在碘化铅薄膜表面,经退火制得含二苯基硫卡巴腙的钙钛矿薄膜,即为有机-无机杂化钙钛矿薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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