[发明专利]一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法在审
| 申请号： | 201911104414.8 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110824325A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王煜 | 申请（专利权）人： | 陕西三海测试技术开发有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法，UIS测试电路包括直流电源、电感器、开关、二极管、栅极驱动模块、线路阻抗、MOSFET和电流采样模块，直流电源的正极通过开关与电感器连接，电感器经过线路阻抗连接被测MOSFET的漏极，被测MOSFET的栅极连接于栅极驱动模块，栅极驱动模块通过控制信号控制源极和漏极之间的通断，被测MOSFET的源极通过电流采样部件连接于直流电源的负极，二极管与被测MOSFET并联维持回路中的电流。本发明的一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法，能够快速准确的测试MOSFET的雪崩能量并对其进行补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 uis 测试 电路 及其 mosfet 雪崩 能量 补偿 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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