[发明专利]一种SiC功率器件有效
| 申请号： | 201911105062.8 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110767753B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 易波;赵青;蔺佳;胡博钧;陈星弼 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体领域，具体提供一种SiC功率器件，包括SiC MOSFET和SiC IGBT；其中：对于集成PN结体二极管的SiC MOSFET器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；对于集成N型肖特基二极管或者集成异质结二极管的SiC MOSFET器件，能够降低MOSFET反向导通时的压降，消除少子注入效应，从而降低二极管导通损耗和反向恢复损耗；对于集成PN结体二极管的逆导型SiC IGBT器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；对于集成N型肖特基二极管或者异质结二极管的逆导型SiC IGBT器件，能够降低逆导IGBT反向导通时的压降，消除少子注入效应，降低二极管导通损耗和反向恢复损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种SiC功率器件，其元胞结构包括：/nN型耐压区(1)；/n设置于耐压区下表面的N型重掺杂欧姆接触区(14)，以及覆盖于N型重掺杂欧姆接触区下表面的阳极金属(3)；/n设置于耐压区上表面的两个分隔的栅极深槽；所述栅极深槽由位于槽壁的氧化层(7)和填充于槽壁内的导体(8)构成，所述导体上覆盖有栅电极金属(9)；所述两个栅极深槽彼此的外侧的半导体表面分别设置有P型基区(5)，所述P型基区与槽壁接触；P型基区内分别设置有与槽壁接触的作为N型阴极源区(12)，以及P型体接触区(11)；所述N型阴极源区、P型体接触区上方设置有阴极金属(10)；所述P型基区下分别设置有第一N型半导体区(4)，所述第一N型半导体区(4)的浓度比所述N型耐压区(1)的浓度高一个数量级以上，所述第一N型半导体区(4)与耐压区相接触；/n所述元胞结构还包括P型半导体区(6)，所述P型半导体区与P型基区(5)、第一N型半导体区(4)共同包围所述两个栅极深槽，所述第一N型半导体区(4)与P型半导体区相接触；所述P型半导体区在位于两个栅极深槽之间的半导体表面上设置有阴极金属(10)、且与阴极金属形成肖特基接触。/n
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