[发明专利]一种二硫化锡-硫化镍核壳异质多孔纳米墙阵列结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911105789.6 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110797209A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 符秀丽;官顺东;彭志坚 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种导电基底负载的二硫化锡‑硫化镍核壳异质多孔纳米墙阵列结构及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。在本产品中，构成纳米墙的纳米片内部是二硫化锡，壳层为均匀包覆的多孔硫化镍，且纳米墙垂直于导电基底形成均匀阵列结构。本发明产品的合成方法，首先通过溶剂热法制备出导电基底负载的二硫化锡纳米片阵列结构；然后以此为模板，以氯化镍作为镍源，在二次溶剂热过程中在二硫化锡表面均匀生长出多孔硫化镍薄层；最终获得所述产品。本方法原材料简单易得、设备和制备过程简单、工艺参数可控性强、产品收率高、生产过程清洁环保、易实现规模化生产；所述纳米结构密度大、产量大、纯度高、形貌可控，电化学储能性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化锡 导电基 硫化镍 溶剂热 制备技术领域 电化学储能 规模化生产 纳米片阵列 新能源材料 多孔纳米 均匀包覆 均匀阵列 纳米结构 清洁环保 生产过程 形貌可控 阵列结构 制备过程 可控性 氯化镍 纳米片 薄层 核壳 壳层 镍源 收率 异质 制备 垂直 合成 生长 | ||
【主权项】：
1.一种导电基底负载的二硫化锡-硫化镍核壳异质多孔纳米墙阵列结构，其特征在于，所述核壳异质多孔纳米墙结构由二硫化锡和硫化镍组成，纳米墙的内部是二硫化锡，在其表面均匀包覆着一层多孔的硫化镍，二者之间形成均一的二维核壳异质结构；所述异质多孔纳米墙垂直、均匀地生长于导电基底上，形成一种高密度的阵列结构。/n
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