[发明专利]一种用于氢硼聚变靶膜的自支撑薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201911107008.7 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112795922B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵冠超;代玲玲;何延如;魏彦存;耿金峰;聂革 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C14/10;C23C14/35;C23C16/40;C23C14/18;C23C16/28;C23C16/01 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 王璐 |
| 地址： | 065001 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及膜材料制备技术，具体公开了一种用于氢硼聚变靶膜的自支撑薄膜的制备方法，先于衬底上制备一层300nm～1000nm厚、粗糙度在1nm以内的二氧化硅薄膜，再于该二氧化硅薄膜上采用高温工艺制备自支撑薄膜，最后经脱膜处理得到自支撑薄膜产品。采用本发明所述制备方法制备的自支撑薄膜均匀、致密、缺陷少，利于提高后续聚变反应的信号的稳定性，不易产生裂纹和爆膜，能满足氢硼聚变实验对超薄硼膜和微米级厚硼膜的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 聚变 支撑 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥科技发展有限公司，未经新奥科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911107008.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：空调出风组件及空调器
- 下一篇：一种用于LDPC解码器的数据存储方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
