[发明专利]屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911108762.2 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110838448A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 何云 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成沟槽，并在所述沟槽的底部和侧壁形成第一介质层；在所述沟槽内形成屏蔽栅；在所述屏蔽栅上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖部分所述第一介质层的侧壁；刻蚀所述第一介质层至沟槽侧壁的预定高度位置；去除所述牺牲层；在所述屏蔽栅上和所沟槽侧壁上形成第二介质层；在所述沟槽内上形成栅极。本发明通过在刻蚀第一介质层之前，在屏蔽栅上形成牺牲层，使刻蚀后的第一介质层表面平整，避免屏蔽珊和栅极之间的第二介质层太薄而导致器件漏电，提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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