[发明专利]一种T型纳米栅的制备方法有效
| 申请号： | 201911109145.4 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110808208B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 顾国栋;吕元杰;敦少博;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张沙沙 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种T型纳米栅的制备方法。所述制备方法包括：在基片的上表面生长氮化硅层和二氧化硅层；在二氧化硅层上涂胶，曝光，显影，将光刻图形的窗口下方的二氧化硅层刻蚀干净，直至露出氮化硅层，形成条形栅槽；利用硅化合物的腐蚀液对形成了条形栅槽的二氧化硅层和氮化硅层进行腐蚀，得到栅电极窗口；蒸发栅金属并剥离，得到T型纳米栅。本发明采用单层电子束曝光和湿法腐蚀、干法刻蚀等工艺相结合的方法，仅通过合理设置光刻图形的曝光剂量和湿法腐蚀时间即可制作出理想形貌的T型栅，实现了100nm以下小栅长T型纳米栅的制备，且工艺简单易行，提高了纳米T型栅的机械强度和器件成品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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