[发明专利]一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器有效

专利信息
申请号: 201911109575.6 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN110797614B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 董元旦;朱谊龙;杨涛 申请(专利权)人: 成都频岢微电子有限公司
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 陈选中
地址: 611730 四川省成都市郫都*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器,结合了SIW与带状线技术,将带状线谐振器级联在两个SIW谐振腔之间,从而阻碍TE201模和TE102模在两个SIW谐振腔之间的耦合,使得所设计的滤波器具有抑制SIW高次模的特性,从而具有宽阻带抑制性能。同时,本发明通过利用SIW的双层叠层结构以及带状线谐振器的使用,能够实现SIW滤波器的小型化设计。此外,本发明通过在SIW谐振腔的不同位置刻蚀矩形槽,可以引入额外的传输零点,提高滤波器的选择性。
搜索关键词: 一种 具有 高次模 抑制 小型化 集成 波导 滤波器
【主权项】:
1.一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器,其特征在于,包括顶层PCB板(1)和底层PCB板(2),所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)尺寸相同,且在相同位置分别设置有6个直径相同的螺钉孔(3),所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)通过穿设于螺钉孔(3)的螺钉紧密贴合在一起;/n所述顶层PCB板(1)的中央设置有第一矩形SIW谐振腔(11),所述底层PCB板(2)的中央设置有第二矩形SIW谐振腔(21),所述顶层PCB板(1)的一侧侧边设置有伸入第一矩形SIW谐振腔(11)的共面波导输入端口(12),所述底层PCB板(2)的对侧侧边设置有伸入第二矩形SIW谐振腔(21)的共面波导输出端口(22),所述第一矩形SIW谐振腔(11)与共面波导输入端口(12)相邻的侧边中心设置有第一微带谐振器(13),所述第二矩形SIW谐振腔(21)与第一微带谐振器(13)同侧的侧边中心设置有第二微带谐振器(23),所述第一微带谐振器(13)和第二微带谐振器(23)紧密贴合构成带状线谐振器,所述带状线谐振器级联在第一矩形SIW谐振腔(11)和第二矩形SIW谐振腔(21)之间;/n所述第一矩形SIW谐振腔(11)四周除与第一微带谐振器(13)连接部分以及共面波导输入端口(12)伸入部分外等间距开设有金属化过孔(4),所述第一微带谐振器(13)除与第一矩形SIW谐振腔(11)连接部分外的其他三侧侧边上等间距开设有金属化过孔(4);所述第二矩形SIW谐振腔(21)四周除与第二微带谐振器(23)连接部分以及共面波导输出端口(22)伸入部分外等间距开设有金属化过孔(4),所述第二微带谐振器(23)除与第二矩形SIW谐振腔(21)连接部分外的其他三侧侧边上等间距开设有金属化过孔(4);所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)上的金属化过孔(4)均构成带缺口的凸字形结构。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都频岢微电子有限公司,未经成都频岢微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911109575.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top