[发明专利]一种改善金属走线底切现象的制备方法有效
| 申请号： | 201911109973.8 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110783266B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张军 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善金属走线底切现象的制备方法，通过在金属走线成膜制程中增加等离子清洗工艺，增加被清洗金属膜层表面的纳米级原子表面积，消除金属膜层已有缺陷，使后续成膜的金属膜层获得更好的表面接触面积和金属扩散融合性能，以减小不同膜层金属的蚀刻速率差异，改善现有制程工艺中金属走线易出现底切的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 走线底切 现象 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善金属走线底切现象的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS10：提供一衬底，在所述衬底表面制备金属阻挡层；/nS20：对所述金属阻挡层表面进行等离子清洗工艺处理；/nS30：在被清洗的所述金属阻挡层表面制备金属导电层；其中，所述金属阻挡层与所述金属导电层形成待蚀刻的第一金属层；/nS40：对所述第一金属层进行黄光制程，以在所述第一金属层上形成电极图形；/n其中，所述金属阻挡层表面经等离子清洗处理，以降低与所述金属导电层之间的蚀刻速率差异，改善底切现象。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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