[发明专利]一种氢硼聚变靶膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201911110110.2 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112795921B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵冠超;代玲玲;魏彦存;耿金峰;聂革 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;G21B1/19 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 王璐 |
| 地址： | 065001 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及膜材料制备技术，具体公开了一种氢硼聚变靶膜及其制备方法与应用，所述制备方法具体为：先于基底上制备一层300nm～1000nm厚、粗糙度在1nm以内的二氧化硅薄膜，再于该二氧化硅薄膜上制备一层30nm～50nm厚、粗糙度在1nm以内的金膜，而后在该金膜上采用高温工艺制备纳米级超薄硼膜，最后经脱膜处理溶解所述二氧化硅薄膜，获得金膜和硼膜的结合物，即得所述氢硼聚变靶膜。采用本发明所述制备方法制备的靶膜均匀性、平整度、致密度和环境稳定性优异，利于削弱衬底和硼膜本身对信号分析的影响；且由于金膜衬底的存在，使得在其上采用高温工艺制备的硼膜更薄、强度更高，能够用于在衬底背面检测信号的聚变反应中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚变 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥科技发展有限公司，未经新奥科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911110110.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可精准调控的再生铝加工用锻造设备
- 下一篇：一种可调式高强度铰刀
- 同类专利
- 专利分类
