[发明专利]沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET在审
| 申请号： | 201911111690.7 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110808288A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | M·丹尼森;S·彭德哈卡尔;G·马图尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET。在描述的示例中，半导体器件具有带有深沟槽结构的垂直漏极延伸MOS晶体管以限定垂直漂移区和至少一个垂直漏极接触区，所述垂直漏极接触区通过深沟槽结构的至少一个实例与垂直漂移区分开。掺杂剂被植入至垂直漏极接触区，并且半导体器件被退火，使得植入的掺杂剂扩散接近深沟槽结构的底部。垂直漏极接触区在介入中间的深沟槽结构的底部处电接触至最近的垂直漂移区。至少一个栅极、主体区和源极区形成在漂移区之上且在半导体器件的衬底的顶部表面处或接近半导体器件的衬底的顶部表面处。深沟槽结构被隔开以形成漂移区的RESURF区域。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 场板半 垂直 横向 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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