[发明专利]像素结构、互补金属氧化物半导体图像传感器和终端

摘要

本申请实施例公开了一种像素结构，该像素结构包括第一层光电二极管、第二层光电二极管、第一读出电路和第二读出电路，第一层光电二极管包括两种光电二极管，第二层光电二极管放置于第一层光电二极管的一侧，第二层光电二极管包括一种光电二极管，第一读出电路读出第一层光电二极管对应的两种特定波长的光对应的电信号，第二读出电路读出第二层光电二极管对应的一种特定波长的光对应的电信号。本申请实施例还同时提供了一种互补金属氧化物半导体传感器和终端。

主权项

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第一层光电二极管、第二层光电二极管、与所述第一层光电二极管相连接的第一读出电路和与所述第二层光电二极管相连接的第二读出电路；其中，/n所述第一层光电二极管包括两种光电二极管，其中，所述两种光电二极管分别一一对应特定波长，所述两种光电二极管分别用于对接收到的入射光中对应的特定波长的光进行共振吸收和光电转换，得到两种特定波长的光对应的电信号；/n所述第二层光电二极管放置于所述第一层光电二极管的一侧，所述第二层光电二极管包括一种光电二极管，所述一种光电二极管用于对经过所述第一层光电二极管共振吸收后的入射光中对应的特定波长的光，进行共振吸收和光电转换，得到一种特定波长的光对应的电信号；/n所述第一读出电路读出所述第一层光电二极管对应的所述两种特定波长的光对应的电信号；/n所述第二读出电路读出所述第二层光电二极管对应的所述一种特定波长的光对应的电信号；/n其中，在所述第一层光电二极管和所述第二层光电二极管中的任意两种光电二极管互不相同。/n