[发明专利]一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法在审
| 申请号： | 201911112145.X | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110643966A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 谢斌;李明;籍伟杰 | 申请（专利权）人： | 谢斌 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 发明提供一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法。所述提高磁控溅射靶材利用率的装置，包括磁轭以及磁体组；所述磁体组设置于所述磁轭上部，并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体，所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体，并且所述直道区磁体呈水平平行设置，所述环形区磁体包含一组中心磁体和一组外侧磁体，所述环形区磁体与所述直道区磁体的中心磁体和外侧磁体与磁轭共同形成闭合磁回路，并在靶材表面形成磁场。发明提供的提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法能够有效改善平面阴极靶材环形区域和过渡区域刻蚀速度过快的问题，提升靶材利用率，并且降低磁控溅射镀膜成本。 | ||
| 搜索关键词： | 直道区 磁控溅射靶材 中心磁体 磁体组 环形区 磁轭 磁控溅射镀膜 靶材利用率 闭合磁回路 平面阴极靶 靶材表面 过渡区域 环形区域 水平平行 刻蚀 磁场 | ||
【主权项】：
1.一种提高磁控溅射靶材利用率的装置，其特征在于，包括磁轭以及磁体组；/n所述磁体组设置于所述磁轭上部，并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体，所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体，并且所述直道区磁体呈水平平行设置，所述环形区磁体包含一组中心磁体和一组外侧磁体，所述环形区磁体与所述直道区磁体的中心磁体和外侧磁体与磁轭共同形成闭合磁回路，并在靶材表面形成磁场；/n所述提高磁控溅射靶材利用率的装置分别采用通过所述磁轭上设置凹槽、降低环形区磁体的高度或增加辅助磁铁三种改进技术方案实现提升磁控溅射靶材利用率。/n
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