[发明专利]提高p-Si/PtSi光阴极分解水光电转换效率的方法有效
| 申请号： | 201911112538.0 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110724995B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 师文生;张皓月;佘广为;李生阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C25D11/32 | 分类号： | C25D11/32;C25B1/04;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C23C14/02;C23C16/50;C23C16/40;C23C16/56;C25B1/55;C25B11/059;C25B11/075 |
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| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开一种提高p‑Si/PtSi光阴极分解水光电转换效率的方法。该方法包括：在碱性溶液中对p‑Si/PtSi光阴极进行电化学氧化处理，使p‑Si/PtSi光阴极中的PtSi薄膜表面形成富铂相铂硅化物Pt |
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| 搜索关键词： | 提高 si ptsi 阴极 分解 水光 转换 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高p-Si/PtSi光阴极分解水光电转换效率的方法，其特征在于，该方法包括：在碱性溶液中对p-Si/PtSi光阴极进行电化学氧化处理。/n
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