[发明专利]一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201911114870.0 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828560A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 郭瑶 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度W |
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| 搜索关键词： | 一种 基区环 掺杂 辐射 横向 pnp 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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