[发明专利]一种基于石墨烯/聚合物混合波导结构的偏振器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911116528.4 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN110780374B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 王希斌;廉天航;杨凯迪;张大明;孙士杰 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 刘世纯;王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种基于石墨烯/聚合物混合波导结构的偏振器及其制备方法,属于聚合物平面光波导器件及其制备技术领域。本发明采用硅片作为衬底,以有机聚合物材料分别作为光波导的包层和芯层材料,利用有机聚合物材料加工工艺简单、灵活等优势,将石墨烯薄膜掩埋在聚合物光波导的内部,充分提高波导中的光场与石墨烯薄膜的相互作用,进而根据石墨烯材料对不同偏振光的吸收特性将其中一种偏振光过滤掉。同时,本发明提出的制备方法比较简单,只需要一些常用的半导体设备和常规制作工艺,不需要复杂昂贵的工艺设备和高难的制备技术,并且与传统的半导体工艺相兼容,易于集成、适于大规模生产,因而具有重要的应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 聚合物 混合 波导 结构 偏振 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于石墨烯/聚合物混合波导结构的偏振器,其特征在于:整个器件为基于矩形结构光波导芯层的直波导,从左到右,由输入直波导(1)、单层石墨烯薄膜置于光波导芯层表面的石墨烯/聚合物混合波导(201)和输出直波导(3)构成;从下到上,输入直波导(1)和输出直波导(3)依次由硅片衬底(21)、在硅片衬底(21)上制备的聚合物下包层(22)、在聚合物下包层(22)上制备的矩形结构的光波导芯层(23)、在光波导芯层(23)两侧制备的与光波导芯层(23)厚度相等的第一聚合物上包层(25’)、在光波导芯层(23)及第一聚合物上包层(25’)表面制备的第二聚合物上包层(25)组成;单层石墨烯薄膜置于光波导芯层表面的石墨烯/聚合物混合波导(201)依次由硅片衬底(21)、在硅片衬底(21)上制备的聚合物下包层(22)、在聚合物下包层(22)上制备的矩形结构的光波导芯层(23)、在光波导芯层(23)两侧制备的与光波导芯层(23)厚度相等的第一聚合物上包层(25’)、在光波导芯层(23)及第一聚合物上包层(25’)表面制备的单层石墨烯薄膜(24)、在单层石墨烯薄膜(24)上制备的第二聚合物上包层(25)组成。/n
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