[发明专利]一种硅基上高深宽比微纳通孔的填充方法有效
| 申请号： | 201911117091.6 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110808229B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 徐天彤;李海旺;陶智;夏靖超;朱凯云;方卫东 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基上高深宽比微纳通孔的填充方法，属于填充方法技术领域。解决了现有的填充方法无法填充硅基上高深宽比微纳通孔的问题。本发明的填充方法，先将硅片进行热氧化处理，形成二氧化硅绝缘层；然后在硅片的下表面先沉积第一钛层再沉积第一铜种子层；然后将硅片置于电镀装置中，开始电镀，直至铜生长到距离通孔顶端小于50μm时，停止电镀，取出硅片；再在硅片的上表面先沉积第二钛层再沉积第二铜种子层；最后将硅片置于电镀装置中，开始电镀，当硅片的通孔被铜全部填充后，停止电镀，取出，清洗，干燥，完成填充。该填充方法可以实现硅基上高深宽比微纳通孔的电镀填充，深宽比可达40以上，通孔直径可达50μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基上 高深 微纳通孔 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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