[发明专利]一种HACL太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201911117670.0 | 申请日： | 2019-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN110931600B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪 | 申请（专利权）人： | 江西昌大高新能源材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市南昌高新技术*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HACL太阳电池的制备方法，其包括以下步骤：(1)对硅片表面进行去除损伤层和清洗处理；(2)以硅片作为基底其两面制备相同掺杂类型的重掺杂晶体硅层；(3)双面减反射钝化层制备；(4)双面按照细金属栅线的图案进行开槽；(5)表面清洗；(6)依次沉积本征非晶硅钝化层和重掺杂非晶硅层；(7)金属栅线制备；(8)去除栅线覆盖区域之外区域的非晶硅薄膜。本发明实现了HACL结构双面太阳电池的制备，且技术方案适宜大规模批量生产；同时本发明先完成全表面的镀膜再制备金属栅线，使得金属栅线在其基本作用外还起到了掩膜的作用，保护需要的非晶硅膜层，实现了非晶硅膜层的局域化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hacl 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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