[发明专利]一种内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件

摘要

本发明公开了一种内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件。首先，本发明通过在浅P阱中加入浮空的P+注入区，使得横向寄生NPN管的基极宽度和浓度增大，降低横向寄生NPN管的放大倍数，使得静电倾向于从纵向寄生NPN管泄放，电流路径变得更深和更长，可有效提高器件的维持电压；其次，用作浅P阱欧姆接触的P+注入区采用分段结构，从而增加了浅P阱的寄生电阻，同时N+注入区采用梳状结构，可增加寄生三极管的发射极面积，提高发射效率，所以能有效提高器件的失效电流。本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。