[发明专利]发光二极管芯片以及其制备方法在审
| 申请号： | 201911118780.9 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110752275A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王晟 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种发光二极管芯片以及其制备方法。缓冲层远离衬底的表面设置有多个三维岛状结构。第二无掺杂氮化镓子层设置于多个三维岛状结构表面，将多个三维岛状结构覆盖。第二无掺杂氮化镓子层为二维层状结构。此时，通过多个三维岛状结构和第二无掺杂氮化镓子层可以形成三维/二维交替的结构。从而，非辐射缺陷会在三维岛状结构到二维层状结构交替的界面处发生方向转向，进而使得部分缺陷转向合并湮灭。并且，通过无掺杂氮化镓层包括多个子氮化镓层，可以实现多层次的三维/二维交替结构，使得大部分非辐射缺进行方向转向，并合并湮灭，进而很大程度的减少了底层缺陷，获得高晶体质量外延片，提高了芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 岛状结构 氮化镓 子层 二维层状结构 掺杂 非辐射 交替的 二维 发光二极管芯片 掺杂氮化镓层 表面设置 氮化镓层 发光效率 交替结构 合并 高晶体 缓冲层 界面处 外延片 衬底 制备 芯片 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n衬底(10)，所述衬底(10)表面设置有缓冲层(20)；/n无掺杂氮化镓层(30)，设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面；/n所述无掺杂氮化镓层(30)包括多个子氮化镓层(310)，所述多个子氮化镓层(310)依次设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面；/n每个所述子氮化镓层(310)包括第一无掺杂氮化镓子层(311)与第二无掺杂氮化镓子层(312)，所述第一无掺杂氮化镓子层(311)设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)设置于所述第一无掺杂氮化镓子层(311)远离所述缓冲层(20)的表面；/n所述第一无掺杂氮化镓子层(311)包括多个三维岛状结构(3111)，所述多个三维岛状结构(3111)依次排列设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)设置于所述多个三维岛状结构(3111)远离所述缓冲层(20)的表面。/n
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