[发明专利]形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法在审
| 申请号： | 201911118800.2 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112701032A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 方伟权 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法。形成可灰化硬遮罩的方法包括(i)提供标的层；(ii)在标的层上沉积初始硬遮罩层；(iii)在400至700℃的植入温度下，将碳原子植入初始硬遮罩层中以形成可灰化硬遮罩，其中可灰化硬遮罩中的植入剂量浓度为10 |
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| 搜索关键词： | 形成 灰化 硬遮罩 方法 图案 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
