[发明专利]沟槽型MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911122238.0 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110993690A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郭景贤;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，该沟槽型MOSFET器件包括：衬底；位于所述衬底上表面上的外延层；从所述外延层的顶部向底部纵向延伸的且终止于所述外延层内的沟槽；分别位于所述沟槽内的顶部和底部的且相互隔开的栅极导体和屏蔽导体；位于所述外延层和所述屏蔽导体之间的第一绝缘层；以及位于所述屏蔽导体和所述栅极导体之间的第二绝缘层，其中，所述屏蔽导体包括邻近所述栅极导体的上部和与所述上部连接为一体的下部，所述上部的宽度大于所述下部的宽度。该沟槽型MOSFET器件及其制造方法，将屏蔽导体分为了宽度不同的上部和下部，两部分的形貌不同，且屏蔽导体与外延层之间的第一绝缘层的厚度变化，使得晶体管的电场值提升，晶体管的特性得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子（杭州）有限公司，未经杰华特微电子（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911122238.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种卫生间耗材监控管理系统
- 下一篇：一种基于局部敏感哈希的指纹模板保护方法
- 同类专利
- 专利分类
