[发明专利]一种双元SiC多孔结构的制备方法在审
| 申请号： | 201911122535.5 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110683859A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王志江;兰晓琳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙;23 |
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| 摘要： | 一种双元SiC多孔结构的制备方法，它属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域，具体涉及一种双元SiC多孔材料的制备方法。本发明的目的是要解决传统SiC材料力学性能差的问题。制备方法：一、压片；二、造孔；三、预烧成型，得到SiC多孔骨架；四、负载催化剂；五、固相反应，得到双元SiC多孔结构。优点：一、常温以及高温吸波性能优异；二、具有优异力学性能；三、具有良好的防隔热性能。本发明主要用于制备双元SiC多孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多孔结构 半导体材料 材料力学性能 负载催化剂 核防护材料 多孔材料 多孔骨架 隔热性能 固相反应 力学性能 生物传感 吸波性能 吸波 压片 预烧 造孔 催化 成型 能源 环保 | ||
【主权项】：
1.一种双元SiC多孔结构的制备方法，其特征在于它是按以下步骤完成的：/n一、压片：先将SiC晶须与造孔剂均匀混合，再加入粘结剂，按照实际需要准备模具，利用液压机在模具中直接压制成型，得到压片成型的块体；所述SiC晶须与造孔剂的质量比为1～4:1；所述SiC晶须的质量与粘结剂的体积比为1g:(0.2～1)mL；/n二、造孔：压片成型的块体在空气下升温至400～800℃，并在温度为400～800℃下脱除造孔剂，得到脱除造孔剂后块体；/n三、预烧成型：以惰性气体作为保护气，对脱除造孔剂后块体进行烧结，烧结2h～4h，再冷却至室温，得到SiC多孔骨架；/n四、负载催化剂：将SiC多孔骨架浸于金属元素催化剂溶液中，真空浸渍12h～24h，取出后干燥至恒重，得到负载催化剂后SiC多孔骨架；/n五、固相反应：将负载催化剂后SiC多孔骨架放置在硅源上，在惰性气体下进行烧结，烧结2h～4h，再冷却至室温，得到双元SiC多孔结构；所述负载催化剂后SiC多孔骨架与硅源的质量比为1:1～4。/n
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