[发明专利]一种用于BIPV的铜铟镓硒太阳能电池在审
申请号: | 201911123058.4 | 申请日: | 2019-11-16 |
公开(公告)号: | CN110931592A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;李刚;夏申江;姚婷婷;杨扬;王天齐;金克武 | 申请(专利权)人: | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种用于BIPV的铜铟镓硒太阳能电池,包括玻璃衬底,玻璃衬底顶面由下至上依次层叠有CIGS功能层、胶膜层、阻隔膜层、盖板玻璃、彩色功能层与减反膜层,所述彩色功能层为单光学膜层或复合光学膜层;舍弃化学着色的传统方法,引入彩色功能层,结合盖板玻璃下表面的绒面结构,并协同本身呈黑色的CIGS功能层,使电池具有彩色外观;改变膜系材料的组成和厚度即可以使反射光产生干涉的波长不同,从而获得不同色彩反射的铜铟镓硒太阳能电池,实现了铜铟镓硒太阳能电池具有与建筑外观匹配的多种颜色,与建筑完美融合,且保持较高发电效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 bipv 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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