[发明专利]一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置有效
| 申请号： | 201911123888.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110597023B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 周洁云;崔绍春;陈雪莲 | 申请（专利权）人： | 墨研计算科学（南京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210031 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置。本申请提供一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法，包括以下步骤：通过划分多个圆重叠的方法得到照明光源的区域划分用于优化光源；确定亚分辨率辅助图形SRAF位置变量的初始位置用于优化掩膜；使用实数编码的方法建立优化变量的种群；对种群中单一染色体通过计算光刻模型确定多目标优化策略的评价标准函数；使用遗传进化算法对当前种群重复进行“评价‑选择‑交叉‑变异”计算，获得评价标准函数的迭代更新；通过解码最终种群得到多目标优化策略的解集帕累托支撑解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多目标 优化 光刻 工艺 分辨率 增强 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法，其特征在于，包括以下步骤：/n根据优化掩模图形的周期，通过划分多个圆重叠的方法得到照明光源的区域划分用于优化光源，所述圆的圆心对应掩模函数的采样频率；/n在Hopkins计算光刻模型中通过离散方式计算光强分布得到非对应掩模图形的光强波峰位置，从而确定亚分辨率辅助图形SRAF位置变量的初始位置用于优化掩膜；/n基于所述亚分辨率辅助图形SRAF位置变量的初始位置和所述照明光源的区域划分，使用实数编码的方法建立优化变量的种群；/n针对所述种群中单一染色体通过计算光刻模型确定多目标优化策略的评价标准函数；/n使用遗传进化算法对当前所述种群重复进行“评价-选择-交叉-变异”计算，获得所述评价标准函数的迭代更新；/n当所述种群内染色体的数量及染色体不再变化时得到最终种群，通过解码所述最终种群得到多目标优化策略的解集帕累托支撑解。/n
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