[发明专利]一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为：第一层是衬底、第二层是氧化层、第三层是硒化铂以及搭在硒化铂上的非对称的蝶形天线和天线两侧的金属电极。器件制备步骤是将机械剥离的硒化铂转移到氧化层上，用紫外光刻方法和倾角蒸镀工艺制备非对称的蝶形天线和金属电极，形成硒化铂太赫兹探测器。太赫兹光照射时，赛贝克电动势驱动硒化铂内载流子定向运动，实现室温快速的太赫兹的探测。该探测器具有高速、宽频、高响应、高稳定性等优点，可以在室温下对树叶进行无电离损伤成像，也可以对封装在纸袋中的金属钥匙透射成像，为实现室温太赫兹探测器广泛应用奠定基础。

主权项

1.一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器，包括衬底(1)、氧化层(2)、硒化铂(3)、铬金蝶形天线(4)、金属电极一(5)、金属电极二(6)和钛金蝶形天线(7)，其特征在于：/n所述探测器的结构自下而上为：第一层是衬底(1)、第二层是氧化层(2)、第三层是硒化铂(3)以及搭在硒化铂上的铬金蝶形天线(4)、钛金蝶形天线(7)和与天线相连接的金属电极一(5)和金属电极二(6)；/n所述衬底(1)为高阻硅衬底，电阻率大于10000欧姆·米；/n所述的氧化层(2)为二氧化硅层；/n所述的硒化铂(3)的厚度为30-50纳米；/n所述的铬金蝶形天线(4)有两层金属层，下层金属为铬，上层金属为金；所述的金属电极一(5)和金属电极二(6)为复合金属电极，下层金属为铬，上层金属为金；/n所述的钛金蝶形天线(7)有两层金属层，下层金属为钛，上层金属为金。/n