[发明专利]一种具有TSV结构的MEMS芯片及其圆片级气密性封装方法在审
| 申请号： | 201911125646.1 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110713165A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 华亚平 | 申请（专利权）人： | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 34102 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 233042*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有TSV结构的MEMS芯片及其圆片级气密性封装方法，本发明的MEMS芯片，在盖板的深槽内壁上覆盖一层绝缘氧化层，使其成为氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，成为TSV结构，MEMS结构的电信号既可以通过第一键合金属块和TSV导电柱连接到顶层金属图形上，也可以通过第二键合金属块、金属导线和深槽多晶硅连接到顶层金属图形上，达到了一个TSV结构导通二路电信号的目的。本发明的方法仅在盖板圆片制作步骤增加了蚀刻盖板下凹腔一个加工工序，就在深槽内壁覆盖绝缘氧化层形成氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，形成TSV结构，达到一个TSV结构导通二路电信号的目的，制造工艺简单，获得的MEMS芯片体积小，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 深槽 多晶硅 盖板 顶层金属 金属块 导通 键合 蚀刻 绝缘氧化层 气密性封装 加工工序 金属导线 内壁覆盖 制造工艺 层绝缘 导电柱 体积小 下凹腔 氧化层 圆片级 内壁 圆片 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.具有TSV结构的MEMS芯片，由盖板、MEMS结构层和底板组成，盖板、MEMS结构层和底板的材料都是单晶硅，底板上至少有一个上凹腔，盖板上至少有一个下凹腔，上凹腔与下凹腔共同形成密封腔，MEMS结构层的MEMS结构位于密封腔中，并可在密封腔中自由活动；底板通过底板绝缘层与MEMS结构层机械连接，底板绝缘层的材料是SiO
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