[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制备方法及应用

摘要

本发明提供一种透明导电氧化物薄膜制备的方法及应用，采用磁控溅射技术，经工艺调控，可实现高质量薄膜的高效率沉积，可在低温条件下实现60cm2V‑1s‑1的高载流子迁移率的透明导电氧化物薄膜的制备，电学性能与ITO相当，UV‑Vis‑IR全波段范围内的光学吸收率较ITO有明显降低。本发明所制备的掺氟氧化铟的透明导电氧化物薄膜具有良好的热稳定性，250℃以下的热处理基本不会带来材料性质的恶化；经过适宜后处理后的掺氟氧化铟薄膜可以实现其性能的进一步提升；此外在避免使用过渡金属元素，性能稳定的同时，可以实现光学性质的有效调控；并且由于不使用过渡金属元素，制备成本低廉。