[发明专利]一种脉冲锁存单元结构在审
| 申请号： | 201911125938.5 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110739962A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 白雨鑫;陈鑫;张颖;刘小雨;高翔;毛志明;单永欣;马丽萍;姚嘉祺;陈凯;施聿哲;金铮斐;李森;葛明慧;张骁煜 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 32237 江苏圣典律师事务所 | 代理人： | 韩天宇 |
| 地址： | 211106 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及种脉冲锁存单元结构，包含第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和门控单元DUC，实现了对输入信号的锁存功能。本发明可广泛应用在构建锁存器的结构中，适用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 门控单元 锁存单元 锁存器 脉冲 存器 对锁 构建 锁存 应用 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲锁存单元结构，其特征在于，包含第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和门控单元；/n所述门控单元包含第一输入端、第二输入端和反相输出端，其中，第二输入端用于输入外界反相时钟信号，反相输入端用于将第一信号输入端输入的信号反相输出；/n所述第一NMOS管的源极分别和所述第二PMOS管的源极、门控单元的第一输入端、第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极相连，第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极相连；/n所述第一PMOS管的源极连接外部电源，栅极分别和所述第二NMOS管的栅极、门控单元的反相输出端相连；/n所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极相连；/n所述第二NMOS管的源极接地。/n
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