[发明专利]基于FPGA的PSRAM存储器初始化方法、装置、设备及介质有效
| 申请号： | 201911125973.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111009271B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 汤博先;杜辉;韩志伟;刘烈;刘建华;杜金凤 | 申请（专利权）人： | 广东高云半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4076 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 詹建新 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于FPGA的PSRAM存储器初始化方法，包括：在对PSRAM存储器执行读校准时，通过FPGA模块向所述PSRAM存储器写入待校验数据；获取FPGA模块中输入输出延时可调电路的延时参数集；遍历所述延时参数集中的每一个延时参数，按照所述延时参数执行延时操作，然后读取所述PSRAM存储器中的待校验数据，若所读取的待校验数据与所写入的待校验数据相同时，将所述延时参数标记为候选值；从标记为候选值的所述延时参数中选择最优延时参数，写入所述FPGA模块中的输入输出延时可调电路。本发明解决了现有PSRAM存储器的相位偏差时间大、工作状态不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fpga psram 存储器 初始化 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
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