[发明专利]可协变应力AlN结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911126555.X | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110828627B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 汪连山;李方政;姚威振;文玲;杨少延;魏鸿源;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 可协变 应力 aln 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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