[发明专利]一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法有效
| 申请号： | 201911126991.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111029294B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭;刘谆骅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离，包括衬底和位于衬底中的深沟槽，其中，所述深沟槽位于所述衬底背面，所述深沟槽中依次形成有填充层Ⅰ和填充层Ⅱ，且所述填充层Ⅰ的消光系数大于填充层Ⅱ；所述衬底中的信号通过所述深沟槽周围的掺杂衬底进行引出。本发明提供的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法，在深沟槽中依次沉积消光系数较大的填充层Ⅰ，和消光系数较小的填充层Ⅱ，在激光退火过程中，既能避免深沟槽隔离下面的器件或金属受到激光光强的影响，又能避免由于吸光造成的在深沟槽隔离两侧的N型掺杂和P型掺杂衬底中激光光强分布不均匀问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 衬底 背面 引出 深沟 隔离 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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