[发明专利]一种高亮度发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911127552.8 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110767781A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 夏金鑫;俞红;陈前锋;陈乐然;赵亮;张金旺;邱苏苏;汤大伟;乔莉沐;张强;周鑫明 | 申请（专利权）人： | 国网安徽省电力有限公司南陵县供电公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/46 |
| 代理公司： | 34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱圣荣 |
| 地址： | 241009 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种高亮度发光二极管，发光二极管包括半导体衬底和发光区域，所述半导体衬底为砷化镓材质，所述发光区域依次由重掺杂GaAs接触层、AlGaInP上覆层、AlGaInP活性层、AlGaInP下覆层、AlAs蚀刻停止层和GaAs缓冲层构成，所述GaAs缓冲层接触半导体衬底。本发明实现了一种具有金属涂层反射永久衬底的发光二极管，有效可靠的保证了发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 衬底 半导体 发光区域 高亮度发光二极管 蚀刻停止层 金属涂层 活性层 上覆层 砷化镓 下覆层 永久衬 重掺杂 反射 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管，发光二极管包括半导体衬底和发光区域，所述半导体衬底为砷化镓材质，其特征在于：所述发光区域依次由重掺杂GaAs接触层、AlGaInP上覆层、AlGaInP活性层、AlGaInP下覆层、AlAs蚀刻停止层和GaAs缓冲层构成，所述GaAs缓冲层接触半导体衬底。/n
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