[发明专利]一种长焦深超分辨直写光刻的光生成器件在审
| 申请号： | 201911128988.9 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110780544A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 梁高峰;陈刚;温中泉;金启见 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B1/00 |
| 代理公司： | 50201 重庆大学专利中心 | 代理人： | 唐开平 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长焦深超分辨直写光刻的光生成器件，它由上至下依次布设透明基底层（1）、纳米光栅结构的光栅掩模层（2）、平坦化膜层（3）和ENZ超材料多层膜（4）。本发明的技术效果是：将高空间频率的倏逝波传输到感光层，形成具有高深宽比、高光场强度特征的深亚波长聚焦光针光刻图形，突破了衍射极限约束，光传输效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米光栅结构 高空间频率 光传输效率 光生成器件 透明基底层 亚波长聚焦 高深宽比 光刻图形 光栅掩模 技术效果 平坦化膜 强度特征 衍射极限 布设 长焦深 超材料 超分辨 多层膜 感光层 倏逝波 高光 光刻 光针 直写 传输 | ||
【主权项】：
1.一种长焦深超分辨直写光刻的光生成器件，其特征是：由上至下依次为透明基底层（1）、纳米环带的金属光栅掩模层（2）、平坦化层（3）和ENZ超材料多层膜（4）。/n
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