[发明专利]非对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911129665.1 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110867440A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李炜峰;王欣;王谞芃;汪洋;杨红姣 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/747;H01L21/82 |
| 代理公司： | 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 | 代理人： | 隆毅 |
| 地址： | 4111*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种非对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法，P型衬底中有N型埋层、第一P阱和第四P阱；N型埋层的上为第一N型深阱、第二N型深阱、第三N型深阱、第二P阱和第三P阱；第二N型深阱上为第一N阱，第三N型深阱上为第二N阱；第一P阱内有第一P+注入区；第二P阱内有第二P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区和第四P+注入区；第一N阱内有第三N+注入区；第三P阱内有第五P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第六P+注入区和第七P+注入区；第二N阱内有第六N+注入区；第四P阱内有第八P+注入区；第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区和第八P+注入区作为阴极；第五P+注入区与第四N+注入区作为阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 双向 可控硅 静电 防护 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911129665.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于USB复合设备的条码设备控制方法和系统
- 下一篇：喷头组件、空调器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
