[发明专利]一种新型的槽链式相结合的黑硅绒面制备方法在审
| 申请号： | 201911131950.7 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110828611A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 候成成;彭晓晨;印越;管自生 | 申请（专利权）人： | 南京纳鑫新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 石磊 |
| 地址： | 211100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及高效太阳能多晶电池制造技术领域，且公开了一种新型的槽链式相结合的黑硅绒面制备方法，包括以下步骤：S1：多晶硅片的初抛、镀银和挖孔；S2：漂洗；S3：脱银；S4：再次漂洗；S5：烘干；S6：扩孔；S7：水洗；S8：碱洗；S9：再次水洗；S10：酸洗；S11：再次烘干。其中S1；S2；S3；S4；S5在槽式机中完成，S6；S7；S8；S9；S10；S11在链式机中完成。该新型的槽链式相结合的黑硅绒面制备方法，可以提高硅片表面绒面结构的均匀性，可以充分利用现有的链式制绒设备，大大缩短了设备的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 链式 相结合 黑硅绒面 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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