[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911132211.X | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111326586A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 大冈笃志;庭山雅彦;内田正雄 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/34;G01K7/01;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备能够以高精度对温度进行检测的温度感测功能。半导体装置具备位于半导体基板上的第一半导体层以及温度传感器部。温度传感器部具有：配置在第一半导体层内的第二导电型的感测体区域；相互隔开间隔地配置在感测体区域内的第一导电型的第一区域及第一导电型的第二区域；以及在感测体区域内位于第一区域与第二区域之间的第二导电型的第三区域。温度传感器部还具有：配置在第一半导体层上且与第一区域的一部分、第三区域及第二区域的一部分相接的第一导电型的温度感测通电层；与第一区域及感测体区域电连接的第一电极；以及与第二区域电连接的第二电极。温度感测通电层以比漂移区域高的浓度包括第一导电型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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