[发明专利]一种片上微型电离真空传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201911132811.6 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112903183B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 魏贤龙;杨威 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01L21/30 | 分类号： | G01L21/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种片上微型电离真空传感器及其制造方法，包括片上微型电子源、第一绝缘层、第一收集极、第二绝缘层和第二收集极；片上微型电子源朝向第一绝缘层的一侧具有电子发射结构；第一绝缘层具有第一通孔，第一通孔贯穿第一绝缘层；第一收集极具有第一网孔，第一网孔贯穿第一收集极；第二绝缘层具有第二通孔，第二通孔贯穿第二绝缘层；第二收集极具有第二网孔，第二网孔贯穿第二收集极；第一通孔、第一网孔、第二通孔以及第二网孔相互贯通。本发明采用片上微型电子源代替了常规的灯丝，由于该片上微型电离真空传感器通过微纳加工工艺和键合工艺制备而成，尺寸小，因此，可以扩大电离真空传感器测量真空度的上限，即可以应用在中低真空领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 电离 真空 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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