[发明专利]四倒角小片电池的制备方法在审
申请号: | 201911133924.8 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110828612A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 方敏;常振宇;孟祥熙;任常瑞;许佳平;黄计军 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种四倒角小片电池的制备方法,包括如下步骤:1)将可制备电池整片的硅材切割出用于制备小片电池的长方体状硅块;该硅块包括:一对相背设置的端面,以及位于该对端面之间的四个边线;该四个边线与端面垂直;2)使硅块的四个边线处分别形成倒角,得到截面为矩形、且矩形四角为倒角的硅块,所述截面与端面平行;3)沿与端面相平行的方向对硅块进行切片,得到四角为倒角的矩形硅片;4)将硅片制成电池片,即得四倒角小片电池。本发明能制备出四个角都是倒角的矩形小片电池。 | ||
搜索关键词: | 倒角 小片 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的