[发明专利]非易失性半导体存储器装置及其擦除控制电路、方法有效
| 申请号： | 201911134622.2 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111667869B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯.伊夫.吉尔伯特.培尔 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明在擦除非易失性半导体存储器装置中的数据时以比公知技术高的准确度控制擦除电压。一种用于控制擦除电压的控制电路包括：斜率调整电路，通过控制步进电压、目标电压以及擦除电压的步进宽度来控制具有台阶形状的斜率。对于每一预定时钟脉冲控制信号，斜率调整电路基于步进电压及目标电压，以步进电压将擦除电压重复地增大至目标电压，并基于步进宽度对与步进宽度对应的每一时间间隔重复地进行计时，从而将时钟脉冲控制信号输出至擦除电压产生电路。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 装置 及其 擦除 控制电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶积成电子制造股份有限公司，未经力晶积成电子制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911134622.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线圈组件及用于制造该线圈组件的方法
- 下一篇：传送带构件
